BUK6226-75C-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2025-01-15
### 产品简介
**BUK6226-75C-VB** 是一款采用 Trench 技术的单极 N 通道 MOSFET，封装形式为 TO252。其主要特性包括较高的耐压能力、低的导通电阻和较大的连续电流承载能力。这款 MOSFET 设计用于高效能电源管理应用，适用于各种高功率和高频率的开关模式。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：单极 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**：100V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**：±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**：18mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**：45A
- **技术**：Trench 技术
### 适用领域与模块举例
**BUK6226-75C-VB** 主要用于以下领域和模块：
1. **电源管理**：该 MOSFET 具有低导通电阻和高电流能力，非常适合用于高效的电源转换模块，如 DC-DC 转换器和电源供应器。它能够有效降低电源损耗，提高系统的整体效率。
2. **电动汽车**：在电动汽车的电源系统中，该 MOSFET 可用于电池管理系统（BMS）中，负责控制和管理电池的充电和放电过程，确保电池的安全和高效运作。
3. **开关电路**：其高电流承载能力和低导通电阻使其成为开关电路的理想选择，例如高功率开关电源和逆变器。这种 MOSFET 能够在开关过程中保持低的功耗和高的可靠性。
4. **消费电子**：在消费电子产品如笔记本电脑和电视机的电源管理模块中，这款 MOSFET 可用于控制和优化电源供应，提高产品的稳定性和能效。
通过这些应用例子可以看出，BUK6226-75C-VB 是一款多功能的高性能 MOSFET，能够满足各种高功率和高效能电源管理需求。
