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MDD3754RH-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-01-08
型号：MDD3754RH
丝印：VBE2412
品牌：VBsemi
详细参数说明：
- 类型：P沟道MOSFET
- 最大耐压：-40V
- 最大电流：-65A
- 导通电阻：10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 门阈电压：-1.6Vth
- 封装：TO252
应用简介：
MDD3754RH是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的高功率应用。其最大耐压为-40V，最大电流为-65A，具有低导通电阻和高性能。
该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于负责电流控制和功率开关的电源管理模块。
2. 电动工具：可用于电动工具中的负极电源控制和负载开关。
3. 高功率负载开关模块：适用于高功率负载开关和电源控制。
总之，MDD3754RH适用于负极电压控制和负载开关等高功率应用领域的模块设计，主要用于电源管理、电动工具和高功率负载开关模块等。
