AON6482-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2024-12-06
### AON6482-VB 产品简介
AON6482-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用DFN8(5X6)封装。它具有高漏极电流、低导通电阻和高耐压特性，非常适合用于高效能的电源管理和转换应用。
### AON6482-VB 详细参数说明
- **封装类型**: DFN8(5X6)
- **晶体管配置**: 单N沟道
- **漏源极耐压 (VDS)**: 100V
- **栅源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 17mΩ @ VGS=10V
- **最大漏源极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: Trench
### AON6482-VB 应用领域和模块
AON6482-VB适用于多种高电压和高效能需求的应用场合，以下是几个典型的应用示例：
1. **电源管理系统**: 在直流-直流转换器和开关电源中，AON6482-VB可以作为高效能的开关元件，提升电源转换效率，减少能量损耗。
2. **工业控制**: 在工业自动化设备中，该MOSFET可以用于高电压电机驱动、电源调节器和控制系统中，确保设备的稳定性和高效性。
3. **通信设备**: 在通信基站和网络设备中，AON6482-VB可以用于电源分配单元和稳压电路中，提高系统的可靠性和供电效率。
4. **汽车电子**: 在汽车电子系统中，特别是在高电压应用如电动汽车和混合动力汽车的逆变器和充电系统中，该MOSFET可以提供高效能的电源管理和电流控制。
5. **可再生能源系统**: 在太阳能光伏逆变器和风能转换系统中，AON6482-VB可以用于高压直流转换和电源管理，提升能源转换效率和系统可靠性。
综上所述，AON6482-VB凭借其高耐压、低导通电阻和高漏极电流特性，适用于电源管理系统、工业控制、通信设备、汽车电子和可再生能源系统等多个领域的高效能应用需求。
