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B254L-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
**B254L-VB** 是一款单极N沟道MOSFET，封装形式为TO263。该器件采用Trench技术，提供高电流承载能力和相对较低的导通电阻，适用于中高电压的电力电子应用。B254L-VB 旨在提高开关效率和减少功耗，特别适合需要较高电压和电流的场合。
### 参数说明
- **型号**：B254L-VB
- **封装**：TO263
- **配置**：单极N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：150V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：35mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**：45A
- **技术**：Trench
### 适用领域和模块
**B254L-VB** MOSFET 在以下领域和模块中表现优异：
1. **开关电源**：由于其高耐压和适中的导通电阻，B254L-VB 适合用于开关电源中，能够在中高电压环境下有效提高开关效率并减少功耗。
2. **DC-DC转换器**：在DC-DC转换器应用中，该MOSFET 可以处理中等电压和高电流，确保稳定的电源转换性能。
3. **电机驱动系统**：适用于电机驱动电路，能够处理高电流负载，同时保持较低的导通电阻，提升电机驱动的整体效率。
4. **电力管理系统**：在电力管理系统中，该MOSFET 可用于高电压负载开关和电源调节，支持高效电力转换和管理。
5. **工业自动化**：适合用于工业自动化设备中的电源开关，能在高电压和高电流条件下提供可靠的性能，保证系统的稳定运行。
