BSC196N10NS G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
BSC196N10NS G-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用DFN8(5x6)封装，专为高电压和中电流应用设计。这款MOSFET使用Trench技术，具有适中的导通电阻和较高的电压耐受能力，可以在高达100V的漏源极电压下稳定工作，并提供最大30A的漏极电流。其设计使其特别适用于高电压开关和功率管理应用，提供了可靠的性能和较低的能量损耗。
### 详细参数说明
- **型号**: BSC196N10NS G-VB
- **封装类型**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 17mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **高电压DC-DC转换器**：BSC196N10NS G-VB MOSFET在高电压DC-DC转换器中表现优异，能够在高达100V的电压下提供稳定的开关性能。其适中的导通电阻和高电流能力帮助提高转换器的效率，减少功率损耗。
2. **电源管理系统**：在电源管理应用中，这款MOSFET可以有效地处理高电压负载并提供稳定的开关性能。其较低的导通电阻确保了在高电压和大电流环境中的稳定性和可靠性。
3. **高功率LED驱动器**：BSC196N10NS G-VB MOSFET适合用于高功率LED驱动器，能够在高电压条件下稳定地控制大电流，提升LED的亮度和寿命。其较低的导通电阻有助于减少功率损耗，提高驱动器的整体效率。
4. **开关电源 (SMPS)**：在开关电源模块中，这款MOSFET能够处理较高的电压和电流负载。其优异的导通性能和高电压耐受性使其适用于高功率开关操作，提高电源系统的整体效率。
5. **电动汽车 (EV) 电池管理**：BSC196N10NS G-VB MOSFET能够用于电动汽车的电池管理系统，处理高电压和大电流的充放电操作。其稳定的性能和高电压耐受能力确保了电池管理系统的可靠性和安全性。
BSC196N10NS G-VB凭借其高电压耐受性和可靠的开关性能，在这些高电压应用中展现出了优异的性能，是高电压和高功率应用中的理想选择。
