BSC100N06LS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 一、产品简介
**型号：BSC100N06LS3 G-VB**
BSC100N06LS3 G-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用DFN8(5x6)封装。这款MOSFET利用先进的Trench技术制造，具有较低的导通电阻和良好的电流处理能力，适合用于各种电源管理和开关应用。BSC100N06LS3 G-VB支持高达60V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS），其门槛电压（Vth）为2.5V，确保能够在适中的栅极电压下可靠开启。该MOSFET在4.5V栅极电压下的导通电阻（RDS(ON)）为13mΩ，在10V栅极电压下为10mΩ，能够提供高达50A的连续漏极电流（ID）。这使其在要求较高电流和高效率的应用中表现出色。
### 二、详细的参数说明
- **型号**: BSC100N06LS3 G-VB
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 60V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **门槛电压（Vth）**: 2.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- @VGS = 4.5V: 13mΩ
- @VGS = 10V: 10mΩ
- **连续漏极电流（ID）**: 50A
- **技术**: Trench
### 三、应用领域和模块举例
**电源管理系统**：BSC100N06LS3 G-VB因其良好的电流处理能力和适中的导通电阻，适用于各种电源管理系统。在DC-DC转换器、开关电源和电源供应单元中，这款MOSFET可以有效降低功耗，提高系统效率，适用于计算机电源、电源适配器和通信设备中的电源管理模块。
**电动汽车**：在电动汽车的电机驱动和电池管理系统中，BSC100N06LS3 G-VB能够处理较高的电流，确保系统的高效稳定。这款MOSFET的低导通电阻和适中的电流处理能力使其成为电动汽车驱动系统和电池管理系统中的理想选择。
**LED驱动器**：对于中高功率的LED照明应用，BSC100N06LS3 G-VB提供的低导通电阻有助于减少功耗和热量，提高LED的工作效率和使用寿命。这使其在LED驱动模块和高亮度LED照明系统中表现出色。
**工业电源**：BSC100N06LS3 G-VB适用于工业电源系统，如变频器和工业电源供应单元。其良好的电流处理能力和导通电阻适中，可以处理各种工业应用中的功率负载，保证系统的高效稳定运行。
**开关电路**：在需要可靠开关性能的电路中，如电机驱动和功率转换模块，BSC100N06LS3 G-VB能够提供稳定的开关性能。其适中的导通电阻和高电流能力使其适合用于各种开关应用。
