BUK436-800B-VB一种Single-N沟道TO247封装MOS管
2025-01-10
### 一、BUK436-800B-VB 产品简介
BUK436-800B-VB 是一款高电压单N沟道MOSFET，采用TO247封装。该MOSFET 使用Plannar技术设计，能够承受高达850V的漏源极电压，适用于高电压和高功率应用。其设计重点在于提供优良的耐压能力和稳定的开关性能，使其在处理高电压环境中的电力转换和开关操作时表现出色。
### 二、BUK436-800B-VB 详细参数说明
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 封装 | TO247 |
| 配置 | 单N沟道 |
| VDS（漏源极电压） | 850V |
| VGS（栅源极电压） | 30（±V） |
| Vth（阈值电压） | 3.3V |
| RDS(ON) @ VGS=10V | 1150mΩ |
| ID（漏极电流） | 10A |
| 技术 | Plannar |
### 三、应用领域和模块示例
1. **高电压开关**：
BUK436-800B-VB 在高电压开关应用中极具优势，尤其适用于电源管理系统中的高电压开关和电源转换器。其850V的耐压能力使其能够处理极高电压的负载，确保系统的稳定性和安全性。
2. **功率变换器**：
在功率变换器和逆变器中，该MOSFET 的高耐压和良好的开关性能使其能够有效地处理高电压和高功率应用，如电力电子系统中的DC-AC转换。其高电压处理能力有助于提高系统的效率和可靠性。
3. **电力供应系统**：
BUK436-800B-VB 适用于电力供应系统中的开关和保护电路，能够承受高电压并提供稳定的开关操作。在高电压环境下的电力管理中，其稳定性和高电压耐受性确保了系统的安全和高效运行。
4. **工业设备**：
在工业设备中，如电机驱动和功率控制系统，BUK436-800B-VB 能够处理高电压和中等电流负载。其高电压耐受能力和稳定性使其适合于严苛的工业应用环境，提供可靠的电力控制和保护功能。
5. **高功率放大器**：
在高功率放大器和射频功率放大器中，该MOSFET 可以用作高电压开关和负载控制元件。其高电压耐受能力和稳定的开关性能使其成为高功率应用中的理想选择。
BUK436-800B-VB 由于其卓越的高电压耐受性和稳定性，广泛应用于需要处理高电压和高功率的各种系统中，为电力和电子应用提供可靠的支持。
