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AP6680GM-VB一种SOP8封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-17
### 1. 产品简介详细：
AP6680GM-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 SOP8 封装，适用于中功率和低导通电阻的功率开关应用。该器件具有适中的 VDS（30V）和极低的 RDS(ON)，采用先进的 Trench 技术，适合要求高效能和高可靠性的电源系统设计。
### 2. 详细的参数说明：
- **封装类型**: SOP8
- **通道类型**: 单 N 沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通时的静态电阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 4.5V: 11mΩ
- @ VGS = 10V: 8mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 最大值 13A
- **技术特点**: Trench 结构，提供优异的开关特性和热稳定性
### 3. 应用示例：
- **电源模块**: 在低电压和中功率的电源模块中，AP6680GM-VB 可以用作开关和调节器件，支持高效率的 DC-DC 转换和稳定的电压输出。
- **电动工具**: 在需要高效能和可靠性的电动工具中，该器件可以作为电机驱动的功率开关，确保设备的高性能和长期使用稳定性。
- **消费电子**: 在需要节能和高电流输出的消费电子产品中，如电视机顶盒和音响系统的电源管理模块，AP6680GM-VB 可以提供良好的功率转换效率和热管理能力。
这些示例展示了 AP6680GM-VB 在不同领域和模块中的应用潜力，体现了其在中功率功率开关和电源管理中的重要性和实用性。
