AON4421-VB一种Single-P沟道DFN8(3X2)-B封装MOS管
2024-12-05
### 一、AON4421-VB产品简介
AON4421-VB是一款单P沟道MOSFET，采用DFN8(3X2)-B封装，适用于中功率和低压负载开关应用。该器件具有-30V的漏源电压（VDS）、±20V的栅源电压（VGS）和-1.5V的阈值电压（Vth）。在VGS为10V时，其导通电阻为30mΩ，支持最大-5.1A的漏极电流（ID）。采用Trench技术制造，具备较低的导通电阻和良好的热特性，适合于需要高效能和中等功率的负载开关应用。
### 二、AON4421-VB详细参数说明
- **封装类型**：DFN8(3X2)-B
- **配置**：单P沟道
- **漏源电压（VDS）**：-30V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：-1.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：30mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：-5.1A
- **技术**：Trench
### 三、应用领域和模块示例
AON4421-VB MOSFET适用于多种中功率和低压负载开关应用领域：
1. **电源管理**：
- **电池保护开关**：用于便携式电子设备和电池管理系统中的负载开关和电源保护。
2. **电动汽车**：
- **电动汽车电池管理**：在电动汽车的电池管理系统中，用于负载开关和电池保护。
3. **消费类电子**：
- **移动设备**：在智能手机和平板电脑等移动设备中，用于电源管理和负载开关控制。
4. **工业控制**：
- **中功率开关控制**：在工业控制系统中，用于中功率负载的高效控制和开关操作。
AON4421-VB MOSFET以其中等功率处理能力、低导通电阻和良好的热特性，特别适用于需要高效能和可靠性的负载开关和电源管理应用场合。
