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BRF6N60-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2025-01-08
**产品简介：**
BRF6N60-VB 是一款高压 N-Channel MOSFET，封装为 TO220F，适用于高电压、大电流的开关应用。其 VDS（漏极-源极最大电压）为 650V，最大栅源极电压 VGS 为 ±30V，漏极电流 ID 达 7A。其 RDS(ON) 为 1100mΩ（在 VGS=10V 时），采用平面型工艺技术，适合各种高电压功率开关电路。
**详细参数说明：**
- **封装**: TO220F
- **类型**: 单极性 N-Channel MOSFET
- **漏源极电压（VDS）**: 650V
- **栅源极电压（VGS）**: ±30V
- **阈值电压（Vth）**: 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**: 7A
- **技术**: 平面型工艺
**应用领域和模块示例：**
1. **电源管理模块**：在高压电源开关和逆变器中，BRF6N60-VB 由于其高耐压和大电流能力，能够提供稳定的开关性能，保障电源系统的可靠性。
2. **电机驱动电路**：在电动机控制和驱动电路中，此 MOSFET 可以有效地处理高电压和大电流负载，提高驱动系统的效率。
3. **照明控制系统**：在LED照明或高功率灯具的控制系统中，该 MOSFET 可用于调节光源的开关状态，支持高功率操作。
