BUK6607-55C-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-15
### 产品简介
BUK6607-55C-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO263封装。此MOSFET利用先进的沟槽技术，提供了极低的导通电阻和高电流处理能力，适用于要求高电流和高效能的各种应用。
### 详细参数说明
- **型号**：BUK6607-55C-VB
- **封装**：TO263
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：60V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：4mΩ（VGS = 10V）
- **漏极电流 (ID)**：150A
- **技术**：沟槽技术
### 适用领域和模块举例
1. **高功率电源管理**：BUK6607-55C-VB 的低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合用于高功率电源管理系统，包括开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。其高效能可以减少能量损耗，提高整体电源效率，确保系统在高负载情况下稳定运行。
2. **电动汽车**：在电动汽车中，BUK6607-55C-VB 可以应用于电池管理系统和电机驱动系统。其高电流能力和低导通电阻使其能够在电动汽车的复杂电力需求下提供稳定和高效的性能，提升车辆的整体性能和电池寿命。
3. **工业控制系统**：该MOSFET 适用于工业控制系统中的高电流开关和电机控制。其强大的电流处理能力和低导通电阻能够在高负载和恶劣环境下提供可靠的性能，确保工业设备的高效运行和长期稳定性。
4. **不间断电源（UPS）**：在UPS系统中，BUK6607-55C-VB 可以高效管理电力转换和负载切换。其高电流处理能力和低导通电阻保证了系统在断电情况下的稳定供电，是确保UPS系统高可靠性和高效率的理想选择。
BUK6607-55C-VB 的优越电气性能和高电流处理能力，使其成为各种高要求应用中的理想选择，为现代电子设备提供了高效、可靠的解决方案。
