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TJ30S06M3L-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-01-09
型号：TJ30S06M3L
丝印：VBE2625
品牌：VBsemi
参数：
- 频道类型：P沟道
- 额定电压：-60V
- 额定电流：-50A
- RDS(ON)：20mΩ @ 10V，25mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围：20V
- 门源阈值电压：-1.76V
- 封装类型：TO252
应用简介：
TJ30S06M3L（丝印：VBE2625）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：
详细参数说明：
TJ30S06M3L是一款P沟道功率MOSFET，具有较高的电压和电流承载能力。主要参数包括额定电压为-60V，额定电流为-50A，RDS(ON)为20mΩ @ 10V，25mΩ @ 4.5V，门源电压范围为20V，门源阈值电压为-1.76V，封装类型为TO252。
应用领域：
TJ30S06M3L（VBE2625）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要P沟道功率MOSFET的高电压和大电流承载能力的电路。以下是一些典型的应用领域：
1. 电源管理模块：TJ30S06M3L可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。
2. 电机驱动：它可应用于电机驱动电路中，提供高功率和高效能的电力输出，适用于工业自动化和机械设备中的电机驱动。
3. 汽车电子系统：TJ30S06M3L适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面，满足对高电压和高功率的要求。
综上所述，TJ30S06M3L（VBE2625）是一款P沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电机驱动和汽车电子系统等领域模块。它具有较高的电压和电流承载能力，适用于需要高功率和高效能的电路。
