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B20NM60D-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
**B20NM60D-VB** 是一款高耐压单N沟道 MOSFET，封装形式为 TO263。该 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技术，适合高电压和中等电流的开关应用。它具备较高的漏源电压和较大的栅源电压范围，适用于各种高压电源管理和功率转换模块。
### 详细参数说明
- **型号**: B20NM60D-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (V_DS)**: 650V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±30V
- **栅源阈值电压 (V_th)**: 3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 10V 栅源电压下: 300mΩ
- **最大漏电流 (I_D)**: 15A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块
**B20NM60D-VB** 适用于以下领域和模块：
1. **高压开关电源**:
- 用于高压电源的开关控制，支持650V高耐压，确保电源的高效稳定运行。
2. **电动汽车 (EV)**:
- 在电动汽车的高压电池管理系统中提供高耐压开关功能，提升系统的安全性和可靠性。
3. **工业电源管理**:
- 适合工业设备中的高压电源模块，处理高电压和中等电流的开关需求。
4. **功率转换器**:
- 在功率转换器中作为开关元件，适合高电压应用，提供可靠的电流控制。
这些应用场景展示了 B20NM60D-VB 在高电压和高功率应用中的重要作用。
