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BSZ042N04NS G-VB一种Single-N沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2025-01-10
### 产品简介
BSZ042N04NS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封装为 DFN8 (3x3)。它具备高电流处理能力和低导通电阻，适合用于高效电源管理和开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**: BSZ042N04NS G-VB
- **封装**: DFN8 (3x3)
- **类型**: 单 N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门槛电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6 mΩ @ VGS = 4.5V
- 4.5 mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏电流 (ID)**: 40A
- **技术**: 沟槽型
### 适用领域和模块
BSZ042N04NS G-VB 适用于：
1. **电源管理系统**：低导通电阻使其适合高效的电源转换器和电源管理模块，例如 DC-DC 转换器和电源适配器。
2. **功率开关**：适用于高电流开关应用，能够处理高达 40A 的电流，适合用于电源开关和负载开关。
3. **电动汽车和工业设备**：在电动汽车和工业设备中的高效开关和功率控制应用中，能够提高系统的整体效率和稳定性。
