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IPD90N04S4-05-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-02-22
根据提供的型号和参数，以下是对该 MOSFET 型号 IPD90N04S4-05-VB 的详细参数和应用简介：
**型号：** IPD90N04S4-05-VB
**丝印：** VBE1405
**品牌：** VBsemi
**参数：**
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：40V
- 最大电流：85A
- 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))：4mΩ @ 10V, 5mΩ @ 4.5V
- 门源电压阈值 (Vth)：1.85V
- 标准门源电压 (±V)：20V
- 封装：TO252
**产品应用简介：**
IPD90N04S4-05-VB 是一款 N 沟道 MOSFET，具有较高的额定电流承受能力和非常低的漏极-源极电阻，适合用于高功率的电子设备和模块的功率开关和放大器应用。这款 MOSFET 的性能参数使其适用于多种领域。
**产品应用领域：**
1. **电源开关：** 该型号的 MOSFET 可用于高功率电源开关应用，以切换电路中的电源连接，如电源管理单元和电源开关。
2. **电机驱动：** 适用于高功率电机驱动电路，例如工业电机和大功率电机控制应用。
3. **电池保护：** 用于电池保护电路，以控制电池的充电和放电，确保电池的安全和性能。
4. **高功率逆变器和电源逆变器：** 在高功率逆变器电路中，用于将直流电源转换为交流电源，通常用于工业逆变器和电源逆变器。
5. **电源放大器：** 用于高功率放大器设计，如音响系统和无线通信设备中的功率放大器。
总之，IPD90N04S4-05-VB MOSFET 在需要高功率、高电流承受能力和低电阻的应用中非常有用，用于功率控制、电流开关和电源连接等用途。由于其性能参数，它在电子模块和设备中起到关键作用。
