BUK6213-30C-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2025-01-15
### 产品简介
BUK6213-30C-VB 是一款高功率单N沟道MOSFET，封装形式为TO252。这款MOSFET 采用先进的沟槽技术，提供了极低的导通电阻和高电流处理能力。它特别适用于需要高电流和高效率的应用场景，如电源管理和功率开关。
### 详细参数说明
- **型号**：BUK6213-30C-VB
- **封装**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 6mΩ（VGS = 4.5V）
- 5mΩ（VGS = 10V）
- **漏极电流 (ID)**：80A
- **技术**：沟槽技术
### 适用领域和模块举例
1. **高功率电源管理**：由于BUK6213-30C-VB 的极低导通电阻和高电流能力，它非常适合用于高功率电源管理系统中，如开关电源和DC-DC转换器。这款MOSFET 能够有效减少能量损失，提升电源效率，并确保在高负载下的稳定运行。
2. **电动汽车**：在电动汽车中，这款MOSFET 可以用于电池管理和电机驱动系统。其高电流承载能力和低导通电阻使其能够应对电动汽车中复杂的电流需求和高效的功率开关，提升整车性能和电池寿命。
3. **工业控制系统**：BUK6213-30C-VB 在工业控制系统中也有广泛应用，如电机控制和负载开关。它的高电流处理能力和低导通电阻能够在要求高可靠性和高性能的工业环境中提供稳定的控制。
4. **消费电子产品**：在需要高电流和低功耗的消费电子产品中，如高功率音响系统和高级电源适配器，BUK6213-30C-VB 的优异性能可以保证设备在高负载情况下的稳定性和能效。
BUK6213-30C-VB 的卓越电气性能和高功率能力使其成为各种高要求应用中的理想选择，为现代电子设备提供了高效、可靠的解决方案。
