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AULS3114Z-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-06
### 产品简介
AULS3114Z-VB 是一款高性能单极 N 通道 MOSFET，采用 TO263 封装。该 MOSFET 使用先进的 Trench 技术，具有 40V 的漏极源极电压（VDS）和 100A 的连续漏极电流（ID）。其导通电阻（RDS(ON)）在 VGS 为 4.5V 时为 6mΩ，在 VGS 为 10V 时为 5mΩ，提供极低的开关损耗和高效能。阈值电压（Vth）为 2.5V，VGS 范围为 ±20V，保证了广泛的应用适应性和可靠性。
### 详细参数说明
- **型号**: AULS3114Z-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单极 N 通道
- **漏极源极电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench
### 适用领域和模块示例
AULS3114Z-VB 适用于以下领域和模块：
1. **高功率电源管理**: 用于高功率转换器和高效能电源模块中，以提供低导通阻抗和高电流承载能力。
2. **电动汽车**: 在电动汽车的驱动系统中作为高电流开关，帮助控制电动机的操作和能量管理。
3. **电源保护电路**: 在各种电源保护电路中应用，确保电流过载时的快速断开和保护功能。
4. **DC-DC 转换器**: 在高效的 DC-DC 转换器中使用，以提高转换效率和减少能量损失。
