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B1100L-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-06
### 产品简介
B1100L-VB 是一款高性能单极 N 通道 MOSFET，封装为 TO263。该 MOSFET 采用先进的 Trench 技术，具有 100V 的漏极源极电压（VDS）和 100A 的连续漏极电流（ID）。其导通电阻（RDS(ON)）在 VGS 为 4.5V 时为 23mΩ，在 VGS 为 10V 时为 10mΩ，提供良好的开关性能和低导通损耗。阈值电压（Vth）为 2.5V，VGS 范围为 ±20V，确保广泛应用的稳定性和可靠性。
### 详细参数说明
- **型号**: B1100L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单极 N 通道
- **漏极源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 23mΩ @ VGS = 4.5V
- 10mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench
### 适用领域和模块示例
B1100L-VB 适用于以下领域和模块：
1. **高电压电源管理**: 在高电压电源转换器中使用，以提供稳定的开关性能和高效的电源管理。
2. **电机驱动系统**: 用于电机驱动系统中，作为高电流开关，控制电机的启停和运行。
3. **电源保护**: 在电源保护电路中应用，确保电流过载时的保护和断开。
4. **DC-DC 转换器**: 在 DC-DC 转换器中作为开关组件，提升转换效率并减少能量损耗。
