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SQD40P10-40L-GE3-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-02-21
型号： SQD40P10-40L-GE3-VB
丝印： VBE2104N
品牌： VBsemi
参数： P沟道，-100V，-40A，RDS(ON)，33mΩ@10V，36mΩ@4.5V，20Vgs(± V)；-1.92Vth(V)；TO252
详细参数说明：
- 型号： SQD40P10-40L-GE3-VB
- 功能类型： P沟道功率MOSFET
- 最大电压： -100V
- 最大电流： -40A
- 开通电阻： 33mΩ @ 10V，36mΩ @ 4.5V
- 栅源电压： ±20V
- 阈值电压： -1.92V
- 封装： TO252
应用简介：
这款 SQD40P10-40L-GE3-VB 产品是一种 P沟道功率MOSFET，适用于多种领域的模块中。其具有低电阻（低RDS(ON)）和高电流特性，可在高电压和高功率应用中提供良好的性能。该器件在TO252封装中提供了便于安装和热管理的方式。
这些产品主要用于以下领域模块：
- 电源模块：可用于电源开关，以提供稳定的电源输出。
- 汽车电子：适用于汽车电子模块中的电源开关、电机驱动等应用。
- 工业自动化：可用于马达控制、电机驱动、开关电源等工业自动化应用。
- 可再生能源：适用于太阳能逆变器、风力发电控制器等可再生能源装置中的电源开关和驱动应用。
总之，SQD40P10-40L-GE3-VB是一款高性能的低电阻P沟道功率MOSFET，适用于电源、汽车电子、工业自动化和可再生能源等领域的模块。
