BUK664R4-55C-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-15
### 一、BUK664R4-55C-VB 产品简介
BUK664R4-55C-VB 是 NXP Semiconductors 提供的一款高性能单 N 沟道 MOSFET，封装形式为 TO-263。这款 MOSFET 采用先进的 Trench 技术设计，具有 60V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS) 规格。在 10V 的栅源电压下，其导通电阻低至 4mΩ，并且能够支持高达 150A 的连续漏极电流 (ID)。BUK664R4-55C-VB 的低导通电阻和高电流处理能力使其在高效开关和功率转换应用中表现优异，非常适合需要高电流和低导通损耗的场景。
### 二、BUK664R4-55C-VB 详细参数说明
| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 产品型号 | BUK664R4-55C-VB | |
| 封装 | TO-263 | |
| 配置 | 单 N 沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 60 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 3 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 4 (VGS = 10V) | mΩ |
| 栅极电流 (IG) | 100 | nA |
| 连续漏极电流 (ID) | 150 | A |
| 瞬时脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | 300 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 200 | W |
| 工作温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 存储温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 技术 | Trench | |
### 三、应用领域和模块示例
BUK664R4-55C-VB 的高电流处理能力和极低的导通电阻使其在多个领域和应用中表现卓越，以下是几个具体的应用示例：
1. **电源管理**：在高功率开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中，BUK664R4-55C-VB 可以作为高效的开关元件，低导通电阻有助于减少能量损耗，提升电源转换效率。这对于高性能电源供应和节能设计至关重要。
2. **电动机控制**：由于其能够处理高电流负载，这款 MOSFET 非常适用于电动汽车、电动工具和工业电动机驱动系统。它能实现高效的电机控制和精确调速，以满足对高电流和高可靠性的要求。
3. **功率转换系统**：在工业功率转换器和逆变器中，BUK664R4-55C-VB 可以处理大电流负载，确保系统的稳定性和可靠性。它广泛应用于太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 中，保证功率转换的效率和稳定性。
4. **电池管理系统**：在电池管理系统 (BMS) 中，该 MOSFET 能够处理高电流负载，提供过流保护和电池切换功能。其低导通电阻和高电流能力可以提高电池系统的安全性和性能，确保在各种工作条件下的稳定运行。
这些应用示例展示了 BUK664R4-55C-VB 在高电流处理、低导通损耗和高效开关的场景中的关键作用。
