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CEM4946-VB一款2个N沟道SOP8封装MOSFET应用分析
2024-02-21
型号：CEM4946-VB
丝印：VBA3638
品牌：VBsemi
参数说明：
- 极性：2个N沟道
- 额定电压：60V
- 最大连续漏极电流：6A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：27mΩ @ 10V，32mΩ @ 4.5V
- 门极-源极电压（Vgs）：20V（±V）
- 開啟電壓（门极阈值电压）：1.5V
- 封装：SOP8
应用简介：
CEM4946-VB是一对N沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，具有低漏极-源极电阻和高电流承受能力，适用于各种电子应用，特别是需要高效能和高电流的领域。
应用领域：
1. **电源模块**：CEM4946-VB可用于开关电源、电源管理模块和直流-直流转换器，有助于提高电能转换效率。
2. **电机控制**：这种MOSFET器件的高电流承受能力使其非常适合用于电机控制、电机驱动和电机保护，可用于工业电机、机器人和汽车电机控制等领域。
3. **电池管理**：在电动汽车、电池储能系统和太阳能逆变器等高功率电池管理应用中，CEM4946-VB可用于电池保护和电池组的高电流管理。
4. **电源开关**：这款MOSFET可用于高功率和高电流的开关电路，如电源开关、直流-直流转换器和电源逆变器。
5. **音频放大器**：在需要高功率输出的音频放大器中，CEM4946-VB可用于功率放大级，用于音响系统和汽车音响设备。
总之，CEM4946-VB是一款高功率、高电流的N沟道MOSFET器件，适用于需要高电流承受能力、低电阻和高效能的各种高功率电子应用领域。它可以用于电源管理、电机控制、电池保护、电源开关、音频放大器等各种模块。
