AMD533CE-T1-PF-VB一种Common Drain-N+P沟道TO252-4L封装MOS
2024-12-02
### 产品简介
AMD533CE-T1-PF-VB是一款双通道共源N+P沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术设计，封装形式为TO252-4L。该MOSFET具有广泛的工作电压范围和适用于多种应用场合的特性。
### 详细参数说明
- **封装形式**：TO252-4L
- **配置**：共源N+P沟道
- **漏源电压 (VDS)**：±60V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.8V (N沟道), -1.7V (P沟道)
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- N沟道：33mΩ @ VGS=4.5V, 30mΩ @ VGS=10V
- P沟道：60mΩ @ VGS=4.5V, 50mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：
- N沟道：35A
- P沟道：-19A (负值表示漏极电流方向与通常方向相反)
- **技术**：沟槽技术
### 应用领域和模块举例
AMD533CE-T1-PF-VB MOSFET适用于多种高压、高电流的应用，以下是其主要的应用领域和模块示例：
1. **电源开关和电源管理**：
- 在电源开关和电源管理系统中，该双通道MOSFET可以用于直流-直流转换器、电池管理系统和电源模块。其高漏极电流和稳定的电气特性能够提供可靠的功率开关和高效能源转换。
2. **电动汽车充电桩**：
- 在电动汽车充电桩中，AMD533CE-T1-PF-VB可用于功率开关和电流控制。其广泛的工作电压范围和低导通电阻能够支持快速充电和高效能源管理。
3. **工业自动化和高压电源模块**：
- 在工业自动化设备和高压电源模块中，该MOSFET可用于电流控制、电机驱动和电源开关。其双通道设计能够灵活应对不同的功率需求，确保系统稳定性和效率。
4. **电力转换器和逆变器**：
- 在电力电子领域，AMD533CE-T1-PF-VB可以用于电力转换器和逆变器中，处理大电流和高频率的功率转换需求。其可靠的性能和高效能源转换能力使其成为电力系统中的理想选择。
通过以上例子可以看出，AMD533CE-T1-PF-VB MOSFET具有广泛的应用潜力，能够在多个关键领域中提供高性能的功率管理和控制解决方案。
