BSZ120P03NS3E G-VB一种Single-P沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2025-01-10
### BSZ120P03NS3E G-VB MOSFET 产品简介
#### 1. 产品简介
BSZ120P03NS3E G-VB 是英飞凌公司推出的一款高性能单级P沟道MOSFET，专为高效能电源管理应用设计。该MOSFET具有-30V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS），采用紧凑的DFN8（3x3 mm）封装，非常适合空间受限的设计需求。它使用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高电流处理能力，确保在负载开关应用中的优异表现。
#### 2. 详细参数说明
- **封装类型：** DFN8（3x3 mm）
- **配置：** 单级P沟道
- **漏源电压（VDS）：** -30V
- **栅源电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** -2.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 在 VGS = 4.5V 时：18mΩ
- 在 VGS = 10V 时：11mΩ
- **连续漏电流（ID）：** -45A
- **技术：** 沟槽技术
#### 3. 应用领域及模块举例
- **电源管理模块：** BSZ120P03NS3E G-VB 非常适合用于电源管理模块，如DC-DC转换器和电源开关。其低RDS(ON)和高电流处理能力能够显著降低功率损耗，提高系统效率，这对于要求高效率和小型化的电源模块尤其重要。
- **电机驱动电路：** 在电动汽车或工业自动化设备中的电机驱动应用中，BSZ120P03NS3E G-VB 能够处理较高的电流并具有良好的导电性能。这使得它在控制电机方向和速度时提供了稳定的性能。
- **电池保护电路：** 该MOSFET 是电池管理系统（BMS）中的理想选择，适用于电池保护电路。其高电流处理能力和低导通电阻能够有效减少功率损耗，从而提升电池系统的效率和安全性。
- **消费电子产品：** 在笔记本电脑、智能手机和平板电脑等消费电子设备中，BSZ120P03NS3E G-VB 可用于电源开关和管理电路。其紧凑的DFN8封装使其可以集成到薄型设计中，同时保持高效能。
- **可再生能源系统：** 该MOSFET 适用于太阳能逆变器和风力发电系统中的开关应用。它的高效能和可靠性使其能够在这些系统中提供稳定的性能，帮助提高整体能源转换效率。
