AP2R403GMT-HF-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2024-12-12
### 产品简介
AP2R403GMT-HF-VB是一款高性能N沟道MOSFET，采用Trench技术设计，具有低导通电阻和高电流承载能力。其DFN8(5X6)封装形式使其适用于空间有限的高密度电子设备，如手机、平板电脑和便携式电子产品。
### 详细参数说明
- **型号**：AP2R403GMT-HF-VB
- **封装形式**：DFN8(5X6)
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 2.5mΩ @ VGS=4.5V
- 1.8mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：160A
- **技术类型**：Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电动工具和电动车辆**：
AP2R403GMT-HF-VB的高电流承载能力和低导通电阻使其非常适合用于电动工具和电动车辆中的电机驱动控制。它可以支持高功率输出和快速切换，提升设备的性能和效率。
2. **服务器和数据中心**：
在服务器和数据中心的电源分配和开关电路中，AP2R403GMT-HF-VB可以作为高效的功率开关器件。其低导通电阻和高电流特性有助于减少能量损耗，提高系统的能效比。
3. **电池管理系统**：
作为电池管理系统（BMS）中的开关元件，AP2R403GMT-HF-VB可以有效地控制电池充放电过程中的功率流动。其高电流和低导通电阻特性有助于最大限度地提高电池系统的效率和安全性。
4. **航空航天应用**：
在航空航天领域的电源管理和控制系统中，AP2R403GMT-HF-VB可以应用于航空电子设备和飞行器电力分配系统。其高可靠性和耐高温特性确保了设备在极端环境下的稳定运行。
5. **LED照明**：
由于其高电流承载能力和低导通电阻，AP2R403GMT-HF-VB可用作LED驱动电路中的功率开关器件。它能够支持高亮度LED灯具的稳定和高效运行。
AP2R403GMT-HF-VB是一款多功能的高性能MOSFET，适用于要求高电流和低功耗的各种电子设备和系统中，提供了稳定、高效的电力管理解决方案。
