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AP50T10GM-HF-VB一种Dual-N+N沟道SOP8封装MOS管
2024-12-17
### 1. 产品简介
AP50T10GM-HF-VB是一款SOP8封装的双N沟道和N沟道场效应管（Dual-N+N-Channel MOSFET）。采用Trench工艺制造，具备高压耐受能力和稳定性，适合于需要处理高电压和中等电流的电子应用。
### 2. 详细参数说明
- **包装类型**: SOP8
- **结构类型**: 双N沟道和N沟道（Dual-N+N-Channel）
- **耐压（VDS）**: 100V
- **栅极-源极电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 200mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**: 3A
- **技术特点**: Trench工艺
### 3. 应用示例
AP50T10GM-HF-VB适用于以下领域和模块：
- **电源管理**: 可用于高压开关电源、DC-DC转换器和电源逆变器，在需要处理高压和中等电流的电源管理和功率转换应用中提供稳定的电路保护和高效的电能转换。
- **电动工具和家用电器**: 在需要处理较高电压和中等电流的电动工具和家用电器中，如电动工具的电机驱动器和家电的电源管理单元。
- **工业自动化**: 用于工业控制系统中的电源开关和电路保护，如PLC（可编程逻辑控制器）和工业机器人的电源管理单元。
- **照明控制**: 在LED照明系统中，作为LED驱动电路的关键部件，实现对LED灯的高效能控制和功率调节。
这些示例表明，AP50T10GM-HF-VB因其高耐压能力、低导通电阻和稳定性，适合于多种需要高效能和可靠性的高压电子应用领域。
