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深圳市微碧半导体有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | N沟道MOS管 | P沟道MOS管 | NP沟道MOS管 | 双N沟道MOS管 | 双P沟道MOS管
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IRFR9120NTRPBF-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析

2024-02-22

IRFR9120NTRPBF.pdf

型号: IRFR9120NTRPBF-VB


丝印: VBE2102M


品牌: VBsemi


参数:


- 封装: TO252

- 沟道类型: P—Channel

- 额定电压(V): -100V

- 额定电流(A): -10A

- 开态电阻(RDS(ON)): 188mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- 阈值电压(Vth): -1.77V


封装: TO252


重新生成的详细参数说明和应用简介:


IRFR9120NTRPBF-VB是一款P-Channel沟道MOSFET,采用TO252封装。其主要参数包括-100V的额定电压,-10A的额定电流,以及在不同门源电压下的开态电阻。


**详细参数说明:**


1. **额定电压(V):** -100V - 这表示器件能够在-100V的电压下正常工作。这是一个P-Channel MOSFET,所以其额定电压为负值。


2. **额定电流(A):** -10A - 这表示器件可以承受的最大电流为-10安培。同样,由于是P-Channel类型,电流值为负数。


3. **开态电阻(RDS(ON)):** 188mΩ @ VGS=10V, VGS=20V - 这表示在不同的门源电压下,器件的导通状态时的电阻。在这个例子中,当门源电压为10V或20V时,开态电阻为188毫欧姆。


4. **阈值电压(Vth):** -1.77V - 这是器件的阈值电压,即MOSFET开始导通的门源电压。由于是P-Channel,阈值电压为负数。

VBE2102M.png

**应用简介:**


IRFR9120NTRPBF-VB广泛应用于各种领域的电源和开关电路中,具体包括但不限于:


1. **电源模块:** 由于其较高的额定电压和电流,适用于设计稳定可靠的电源模块。


2. **开关电源:** 可用于开关电源中的功率开关部分,实现高效的电能转换。


3. **电机驱动:** 适用于电机驱动电路,提供可靠的功率输出。


4. **汽车电子:** 在汽车电子领域中,可用于汽车电动系统、点火系统等。


5. **工业控制:** 用于各种工业控制电路,提供高性能的开关功能。


总的来说,IRFR9120NTRPBF-VB作为一款强大的P-Channel MOSFET,适用于需要负电压、负电流和低开态电阻的各种电源和开关电路应用。