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B230NH03L-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
**产品简介**
B230NH03L-VB是一款高电流、高性能的单N通道场效应晶体管（MOSFET），封装为TO-263，采用Trench工艺。它设计用于处理大电流和高效开关应用，具有出色的低导通电阻特性和较高的电流处理能力。适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理及负载驱动系统。
**详细参数说明**
- **型号**：B230NH03L-VB
- **封装**：TO-263
- **配置**：单N通道
- **最大漏源电压 (V_DS)**：30V
- **最大栅源电压 (V_GS)**：±20V
- **阈值电压 (V_th)**：1.7V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**：
- 4.5V时：1.6mΩ
- 10V时：1.4mΩ
- **最大漏电流 (I_D)**：260A
- **技术**：Trench工艺
**应用领域和模块**
1. **高效电源管理**：B230NH03L-VB在高效DC-DC转换器和电源供应系统中表现优异，能够处理高电流负载，并且有效降低功耗损耗，提高系统效率。
2. **电动汽车驱动**：在电动汽车的电机驱动系统中，该MOSFET能处理高电流负载，提供稳定的开关性能和高效能，确保系统的可靠性和性能。
3. **工业电机控制**：用于工业设备的电机控制系统中，提供低导通电阻和高电流处理能力，优化电机驱动效率并降低能耗。
4. **高功率应用**：适用于高功率应用如电源分配和负载驱动，能够稳定处理高电流和高负荷条件，提升系统整体性能和可靠性。
