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AOT12N40-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2024-12-06
### AOT12N40-VB 产品简介
AOT12N40-VB是一款高压单N沟道MOSFET，适用于需要高电压和中等电流的应用场合。采用了SJ_Multi-EPI技术，具有稳定可靠的性能特性，适合在各种工业和电力电子系统中使用。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 650V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 500mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 9A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块示例
1. **电源开关**：
- **应用场景**: 用于工业电源系统和电力传输设备中的高压开关，能够处理较高的电压和电流，确保系统稳定运行。
- **示例**: 电力逆变器、UPS系统和电动汽车充电设备中的电源开关模块。
2. **电机驱动**：
- **应用场景**: 适用于需要高电压和中等电流的电机控制系统，能够提供可靠的电机驱动能力。
- **示例**: 工业机械、电动工具和电动机车中的电机驱动模块。
3. **电源逆变器**：
- **应用场景**: 在太阳能和风能发电系统中，作为逆变器的关键组件，实现直流到交流的转换。
- **示例**: 可再生能源发电设备中的逆变器模块，如太阳能逆变器和风力逆变器。
AOT12N40-VB以其高压容忍能力和可靠性，在工业电子、电力电子和能源转换等领域都具有广泛的应用潜力。
