BSC024N025S G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC024N025S G-VB** 是一款单通道 N 型 MOSFET，采用 DFN8(5x6) 封装，设计用于高电流和低电压应用。其具备极低的 RDS(ON)（1.8mΩ @ VGS=10V），可以有效减少功耗和热量。该器件最大漏极电流为 160A，适合处理高负载电流。其阈值电压为 1.7V，栅极-源极耐压为 ±20V，确保了在复杂工作环境下的稳定性和可靠性。
### 详细参数说明
- **型号**: BSC024N025S G-VB
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单通道 N 型 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 160A
- **技术**: 沟道工艺 (Trench)
### 应用领域和模块
**BSC024N025S G-VB** 适用于以下领域和模块：
1. **电源管理系统**：其低 RDS(ON) 和高电流能力使其非常适合用于高效电源管理模块和 DC-DC 转换器，减少能量损失。
2. **电机驱动**：能够处理高电流，在电机驱动电路中提供稳定的开关控制，适用于电动工具和工业应用。
3. **汽车电子**：在汽车电子系统中处理高电流负载，例如电动窗户和座椅调节系统。
4. **充电系统**：用于电池充电器中，提供高效的开关控制，优化充电过程并延长电池寿命。
5. **数据中心**：在数据中心电源模块中实现高效的功率转换和管理，满足高性能计算的需求。
