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AOTF8N60-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2024-12-09
### 1. 产品简介
AOTF8N60-VB 是一款单N沟道场效应管，采用Plannar技术制造，封装形式为TO220F。具备高耐压和稳定性能，适用于中功率应用和电源管理领域。
### 2. 详细参数说明
- **包装**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 10A
### 3. 应用示例
AOTF8N60-VB MOSFET 可以应用于以下领域和模块：
- **电源转换器**: 在各种类型的电源转换器中，如开关电源和直流-交流逆变器中，提供稳定的电能转换和电流管理。
- **电动车辆**: 适用于电动车辆的电池管理和电机驱动系统，支持中功率输出和高效率转换。
- **工业电源**: 在工业电源设备中，如电动工具和自动化设备的电源管理单元，提供可靠的电源开关和电流控制。
- **UPS系统**: 在不间断电源系统中，AOTF8N60-VB 可以作为电源开关和电池管理的关键组件，确保电力供应的稳定性和可靠性。
这些示例展示了 AOTF8N60-VB 的适用性和多功能性，使其成为中功率电子和电力系统中的理想选择，特别是需要处理中等功率和高效能要求的应用场合。
