AP30T10GM-HF-VB一种Single-N沟道SOP8封装MOS管
2024-12-12
### AP30T10GM-HF-VB 产品简介
AP30T10GM-HF-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用沟槽技术制造，封装在SOP8包装中。它具有高击穿电压和优异的导通特性，适用于各种要求高电压和中等电流的功率管理和开关应用。
### AP30T10GM-HF-VB 详细参数说明
- **封装类型**：SOP8
- **配置**：单N沟道
- **击穿电压 (VDS)**：100V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 69mΩ @ VGS=4.5V
- 51mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：6.8A
- **技术**：沟槽（Trench）
### AP30T10GM-HF-VB 应用领域及模块
AP30T10GM-HF-VB 在多种高压中等电流应用中具有广泛的适用性，主要用于以下领域和模块：
1. **电源逆变器**：
- 这款MOSFET适合用于电源逆变器中的主要开关元件，特别是在需要较高击穿电压和稳定导通特性的应用中。例如，太阳能逆变器和工业逆变器中，能够有效地转换和管理能源。
2. **电动汽车充电桩**：
- 在电动汽车充电桩中，AP30T10GM-HF-VB 可以作为高压直流充电模块的关键开关器件。其高击穿电压和低导通电阻有助于提高充电效率和系统的安全性。
3. **工业电源管理**：
- 在工业电源管理系统中，这款MOSFET能够稳定地控制和调节电压输出，适用于各种工业自动化设备和机器的电源控制。
4. **LED驱动器**：
- 作为LED驱动器电路中的开关器件，AP30T10GM-HF-VB 能够有效地管理LED的功率供应，提高照明系统的效率和可靠性。
通过其高性能和可靠性，AP30T10GM-HF-VB 成为各种高压中等电流应用中的首选，为工程师提供了强大的设计支持和解决方案。
