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AP13N50W-VB一种Single-N沟道TO3P封装MOS管
2024-12-10
### 产品简介
AP13N50W-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO3P封装，设计用于高压和大功率应用。具有600V的漏极-源极电压承受能力和低导通电阻特性，适合于需要高可靠性和稳定性的电源开关和功率控制应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO3P
- **配置**：单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**：600V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：380mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：11A
- **技术类型**：SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块
1. **电动车辆**：在电动汽车和混合动力车辆中，AP13N50W-VB可用作电机驱动器件，处理高电流和高功率要求，确保电动车辆的高效能和长时间运行。
2. **工业电源**：适用于工业电源系统中的逆变器、变频器和高压电源模块，为工业设备提供稳定的电力输出和功率管理功能。
3. **电力电子**：在电力传输和分配系统中，作为开关器件，帮助管理和控制电网中的电能流动，提高电力系统的效率和稳定性。
4. **电源逆变器**：用于太阳能逆变器和风能逆变器中，帮助将可再生能源转换为可用的电力，并提供高效的能量转换和电网连接功能。
5. **高压电源**：在科研仪器和医疗设备中，AP13N50W-VB可用于高压电源系统的开关控制和电能管理，确保设备运行的稳定性和安全性。
这些应用示例展示了AP13N50W-VB在多种高功率、高压电源管理和控制场景中的广泛应用，通过其优异的电气特性和技术优势，为各种功率开关需求提供了可靠的解决方案。
