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IRFR1018ETRPBF-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-02-22
型号：IRFR1018ETRPBF-VB
丝印：VBE1615
品牌：VBsemi
参数：
- N沟道
- 最大耐压：60V
- 最大漏电流：60A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：9mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：1.87V
- 封装：TO252
应用简介：
IRFR1018ETRPBF-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于高功率电子应用。它具有低导通电阻和耐压特性，适用于要求高电流和高功率的电子系统。
领域模块应用：
1. 电源开关模块：IRFR1018ETRPBF-VB可用于电源开关应用，如高功率电源开关和电源转换器。
2. 电机驱动器：在高功率电机驱动应用中，它能够提供所需的高电流和高效率。
3. 高功率放大器：适用于音频放大器、RF放大器等高功率放大器模块。
这些特性使IRFR1018ETRPBF-VB在高功率电子系统中有广泛的应用。
