AON6210-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2024-12-05
### 一、AON6210-VB产品简介
AON6210-VB是一款单N沟道MOSFET，采用DFN8(5X6)封装，适用于高功率和低压应用。该器件具有30V的漏源电压（VDS）、±20V的栅源电压（VGS）和1.7V的阈值电压（Vth）。在VGS为10V时，其导通电阻为1.8mΩ，支持最大160A的漏极电流（ID）。采用Trench技术制造，具备极低的导通电阻和优异的热特性，适合需要高效能和高功率的应用环境。
### 二、AON6210-VB详细参数说明
- **封装类型**：DFN8(5X6)
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压（VDS）**：30V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：1.8mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：160A
- **技术**：Trench
### 三、应用领域和模块示例
AON6210-VB MOSFET适用于多种高功率和低压应用领域：
1. **电源管理**：
- **服务器电源单元**：在数据中心服务器的电源转换单元中，用于高功率密度和高效能的直流-直流转换。
- **电源适配器**：在高功率电源适配器中，用于提供稳定的电源输出和高效率的电能转换。
2. **电动车充电桩**：
- **直流快充站**：在电动车快速充电桩中，用于高功率的电能传输和电池充电管理。
3. **工业电子**：
- **工业自动化设备**：在高功率电机控制和变频器中，用于中频率变换和高效率的功率控制。
4. **电动工具**：
- **电动工具驱动器**：在高功率电动工具中，用于电动马达驱动和功率控制，提供高效率和可靠性。
AON6210-VB MOSFET以其极低的导通电阻和高漏极电流能力，特别适用于需要高功率密度和高效率的电子和电源管理应用场合。
