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DMG1012T-VB一款N沟道SC75-3封装MOSFET应用分析
2024-01-05
DMG1012T (VBTA1220N)参数说明：N沟道，20V，1A，导通电阻200mΩ@4.5V，230mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压0.6V，封装：SC75-3。
应用简介：DMG1012T适用于低功率应用，如信号开关和电流控制。
其低导通电阻和小封装有助于降低功率损耗和节省空间。
适用领域与模块：适用于低功率信号开关、电流控制和模拟开关等领域模块，特别适合要求节省空间的场景。
