AP9972GH-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2024-12-23
### 1. 产品简介
AP9972GH-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造,设计用于高性能和高可靠性的应用。封装为TO252,适合于需要高电流和低导通电阻的电子设备和工业应用场合。
### 2. 参数说明
- **型号**: AP9972GH-VB
- **封装**: TO252
- **结构**: 单 N-沟道
- **耐压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS = 4.5V
- 10mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 58A
- **技术**: Trench
### 3. 应用示例
AP9972GH-VB 在多个领域和模块中具有广泛的应用,例如:
- **电源管理**: 适用于高效能的开关电源和稳压器,能够提供可靠的电能转换和电压稳定性。
- **电动工具**: 可用于电动工具的电机控制,支持高功率输出和可靠的动力传输。
- **汽车电子**: 在汽车电子系统中,特别是电动汽车的电动机控制和动力管理系统中,提供高效能和节能的解决方案。
- **工业自动化**: 作为工业控制系统中的开关和电流调节器,帮助实现精确的电力管理和设备自动化。
- **电源逆变器**: 用于逆变器中的开关模块,支持直流到交流的高效转换,适用于太阳能逆变器和UPS系统等。
以上示例展示了 AP9972GH-VB 在不同领域和模块中的广泛应用,利用其高性能、低导通电阻和稳定性为电子设备和工业应用提供高效能解决方案。