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AP70L02GH-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2024-12-19
### 1. 产品简介详细：
AP70L02GH-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，适用于高功率和低导通电阻的功率开关应用。该器件具有适中的 VDS（30V）和极低的 RDS(ON)，采用先进的 Trench 技术，适合要求高效能和高可靠性的电源系统设计。
### 2. 详细的参数说明：
- **封装类型**: TO252
- **通道类型**: 单 N 沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通时的静态电阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 4.5V: 6mΩ
- @ VGS = 10V: 5mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 最大值 80A
- **技术特点**: Trench 结构，提供优异的开关特性和热稳定性
### 3. 应用示例：
- **电源模块**: 在需要高电流输出和低损耗的电源模块中，AP70L02GH-VB 可以作为主要的功率开关，支持高效率的 DC-DC 转换和稳定的电压输出。
- **电动汽车**: 在电动汽车的电池管理系统和电机控制中，该器件可以用作电机驱动的功率开关，确保高功率输出和长时间的稳定运行。
- **服务器电源**: 在服务器和数据中心的电源管理模块中，AP70L02GH-VB 可以提供稳定的电源转换和高效能的功率分配，支持设备长时间的高负荷运行。
这些示例展示了 AP70L02GH-VB 在不同领域和模块中的应用潜力，体现了其在高功率功率开关和电源管理中的重要性和实用性。
