BSZ086P03NS3E G-VB一种Single-P沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2025-01-10
### BSZ086P03NS3E G-VB MOSFET 产品简介
BSZ086P03NS3E G-VB 是由英飞凌（Infineon Technologies）设计的一款高性能功率MOSFET。该单极P沟道MOSFET封装在紧凑的DFN8（3x3）封装中，非常适合空间受限的应用。其先进的沟槽技术确保了低导通电阻和高效能，使其在各种功率管理应用中表现出色。
### 详细参数说明
- **封装类型：** DFN8（3x3）
- **配置：** 单极P沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** -30V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **门限电压（Vth）：** -2.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 18mΩ @ VGS = 4.5V
- 11mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流（ID）：** -45A
- **技术：** 沟槽技术
### 在不同领域和模块中的应用实例
1. **便携设备的电源管理：**
BSZ086P03NS3E G-VB 由于其低导通电阻和紧凑的封装，非常适合用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑等便携设备的电源管理。它有助于提高电池使用效率，延长电池寿命，减少功耗。
2. **DC-DC 转换器：**
该MOSFET 适用于DC-DC转换器应用，特别是在降压转换器中作为高侧开关。其高电流处理能力和低RDS(ON)有助于高效转换和减少热量产生。
3. **电机控制：**
在电机控制应用中，如无人机和机器人系统中，BSZ086P03NS3E G-VB 可用于高效控制电机的速度和方向。其高电流处理能力确保能够驱动大功率电机。
4. **负载开关：**
该MOSFET 可用于各种负载开关应用，包括工业自动化和家用电器。其强大的设计和低门电荷使其适合切换感性负载，并减少功耗。
5. **电池保护电路：**
由于MOSFET能够处理高电流且导通电阻低，非常适合用于电动汽车和储能系统中的电池保护电路，确保安全高效地运行。
BSZ086P03NS3E G-VB 的特性使其成为多个应用领域的多功能组件，确保在各种领域中实现高效能和可靠性。
