BTS115ANKSA1与VBM1680参数对比报告

2026-08-05

N沟道功率MOSFET参数对比分析报告

一、产品概述

BTS115ANKSA1：英飞凌（Infineon）TEMPFET?系列N沟道逻辑电平增强型MOSFET，集成了具有晶闸管特性的温度传感器和过流保护功能，具备短路承受能力。耐压50V，导通电阻低（0.12Ω），高可靠性。封装：TO-220AB。适用于需要短路保护和高可靠性的汽车、工业开关及驱动应用。
VBM1680：VBsemi N沟道60V功率MOSFET，具备动态dV/dt能力，开关速度快，易于并联，驱动要求简单。封装：TO-220AB。适用于DC-DC转换器、电机驱动、功率开关等通用及工业应用。

参数	符号	BTS115ANKSA1	VBM1680	单位
漏-源电压	VDSS	50	60	V
栅-源电压	VGSS	±10	±20	V
连续漏极电流 (Tc=25°C)	ID	15.5	20	A
连续漏极电流 (Tc=100°C)	ID	-	12	A
脉冲漏极电流	IDM	62	68	A
短路电流	ISC	37	-	A
最大功率耗散 (Tc=25°C)	PD	50	60	W
工作/结温/存储温度	Tj/Tstg	-55 ~ +150	-55 ~ +175	°C
雪崩能量（单脉冲）	EAS	-	100	mJ
线性降额因子	-	-	0.40	W/°C

分析：VBM1680 在耐压、连续和脉冲电流能力上略有优势（60V/20A/68A vs 50V/15.5A/62A），并且最高结温达到175°C。BTS115ANKSA1 具备明确的短路电流额定值（37A）和短路功耗能力（550W），这是其集成保护功能的核心体现，在异常工况下可靠性更高。

参数	符号	BTS115ANKSA1	VBM1680	单位
漏-源击穿电压	V(BR)DSS	50 (最小)	60 (最小)	V
栅极阈值电压	VGS(th)	1.5 ~ 2.5	1.0 ~ 3.0	V
导通电阻 (VGS=10V， ID≈10A)	RDS(on)	0.12 最大 (VGS=4.5V)	0.072 典型	Ω
正向跨导	gfs	5.5 ~ 9.5	5.5 典型	S

分析：VBM1680 的典型导通电阻（0.072Ω）显著低于 BTS115ANKSA1 的最大值（0.12Ω），意味着在相同电流下导通损耗更低。两者均为逻辑电平驱动（VGS(th) < 3V），易于由微控制器或低压逻辑电路直接驱动。

参数	符号	BTS115ANKSA1	VBM1680	单位
输入电容	Ciss	550 ~ 735	640 典型	pF
输出电容	Coss	220 ~ 320	360 典型	pF
反向传输电容	Crss	85 ~ 150	79 典型	pF
总栅极电荷	Qg	-	25 最大	nC
栅-源电荷	Qgs	-	5.8 最大	nC
栅-漏（米勒）电荷	Qgd	-	11 最大	nC

分析：VBM1680 提供了完整的栅极电荷参数，总栅极电荷（Qg_max=25nC）较低，结合其低导通电阻，意味着其栅极驱动损耗和导通损耗的综合表现（FOM）可能更优。BTS115ANKSA1 文档未提供栅极电荷参数。

参数	符号	BTS115ANKSA1	VBM1680	单位
开通延迟时间	td(on)	15 ~ 25	13 典型	ns
上升时间	tr	70 ~ 100	58 典型	ns
关断延迟时间	td(off)	70 ~ 90	25 典型	ns
下降时间	tf	50 ~ 70	42 典型	ns

分析：VBM1680 在各个开关时间参数上均快于 BTS115ANKSA1，尤其是在关断延迟和下降时间方面优势明显。这验证了其“快速开关”的特性，更适合高频应用以降低开关损耗。

参数	符号	BTS115ANKSA1	VBM1680	单位
二极管正向压降	VSD	1.5 典型 @34A	1.5 最大 @17A	V
反向恢复时间	trr	60 典型	88 典型 (最大180)	ns
反向恢复电荷	Qrr	0.10 典型	0.29 典型 (最大0.64)	μC
峰值二极管恢复 dV/dt	-	-	4.5	V/ns

分析：BTS115ANKSA1 的反向恢复电荷（Qrr）显著更低（0.1μC vs 0.29μC），意味着其体二极管在换流过程中产生的开关损耗和噪声更小。VBM1680 则标明了抗 dV/dt 能力，有助于提高其在桥式电路中的可靠性。

参数	符号	BTS115ANKSA1	VBM1680	单位
结-壳热阻	RθJC	≤ 2.5	最大 2.5	°C/W
结-环境热阻	RθJA	≤ 75	最大 62	°C/W

分析：两者的结-壳热阻相同（2.5°C/W）。VBM1680 的结-环境热阻（62°C/W）略优于 BTS115ANKSA1（75°C/W），在无散热器或自然冷却条件下散热性能稍好。

参数/功能	符号	BTS115ANKSA1	VBM1680
温度传感器/保护	VTS(on), TTS(on)等	集成温度传感器与过流保护（晶闸管特性）	未提供
短路响应时间	tSC(off)	典型 25ms	未提供

分析：这是两款器件最核心的差异。BTS115ANKSA1 内置了完整的温度传感和短路保护电路，是智能功率器件。VBM1680 是标准的功率MOSFET，需要外部电路实现保护功能。

BTS115ANKSA1 优势	VBM1680 优势
◆ 集成温度传感器与过流保护，系统可靠性高，外围电路简单 ◆ 逻辑电平驱动，易与低压控制电路接口 ◆ 短路耐受能力强，有明确的短路电流和功耗参数 ◆ 体二极管反向恢复电荷（Qrr）更低	◆ 更低的导通电阻（RDS(on)），导通损耗更小 ◆ 更快的开关速度，开关损耗低，适合更高频应用 ◆ 更高的电压和电流额定值（60V/20A） ◆ 更高的最大结温（175°C） ◆ 总栅极电荷（Qg）低，驱动简单，驱动损耗小

选择 BTS115ANKSA1：当应用对系统安全性和可靠性要求极高，尤其是需要应对短路、过载等故障工况时（如汽车执行器、电磁阀驱动、工业紧急制动）。其内置保护功能可以简化系统设计，降低外围元件成本，并提升整体鲁棒性。
选择 VBM1680：当应用追求高效率、高功率密度和高频性能，且系统已有完善的外部保护电路时（如DC-DC同步整流、电机PWM驱动、高效率开关电源）。其优异的RDS(on)和开关性能有助于提升能效和功率等级，是高性能标准MOSFET的优选。