AM3925P-T1-PF-VB一种Dual-P+P沟道SOT23-6封装MOS管
2024-11-28
### 一、AM3925P-T1-PF-VB 型号的产品简介
AM3925P-T1-PF-VB 是一款双P+P沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，封装在紧凑的SOT23-6封装中。它具有低导通电阻和良好的电压控制特性，适用于低电压电源管理和电流开关控制应用。
### 二、AM3925P-T1-PF-VB 型号的详细参数说明
- **封装类型**: SOT23-6
- **配置**: 双P+P沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: -20V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±12V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -0.6V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 100mΩ @ VGS=2.5V
- 75mΩ @ VGS=4.5V
- **漏极电流 (ID)**: -4A
- **技术**: 沟槽技术
### 三、AM3925P-T1-PF-VB 的应用领域和模块举例
1. **移动设备**:
- **智能手机和平板电脑**：AM3925P-T1-PF-VB 可用作低电压电源管理和电池充放电控制器，确保设备在各种电池状态下的高效能耗和稳定运行。
2. **消费电子产品**:
- **便携式音频设备**：在便携式音频设备中，该MOSFET可用于功率放大器和电池管理系统，提供清晰的音频输出和长时间的播放时间。
3. **工业自动化**:
- **传感器和执行器控制**：在工业传感器和执行器控制系统中，AM3925P-T1-PF-VB 可用作开关器件，实现高效能耗和精确的控制，适合各种环境和应用要求。
4. **医疗设备**:
- **便携式医疗监测设备**：该MOSFET适合用于便携式医疗监测设备的电源管理和电路保护，保证设备在复杂环境中的可靠运行和长期使用。
AM3925P-T1-PF-VB 由于其双P+P沟道设计和低电压特性，适用于多种需要高效能耗和稳定性能的便携式和低功耗应用场合。
