AON7506-VB一种Single-N沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2024-12-06
### 产品简介
AON7506-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术。它具有低导通电阻和高额定电流能力，非常适合各种功率管理应用。该器件封装在紧凑的 DFN8（3x3）封装中，提供卓越的热性能和电气特性，使其成为高密度电路设计的理想选择。
### 详细参数说明
- **型号**：AON7506-VB
- **封装**：DFN8 (3x3)
- **配置**：单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 19mΩ @ VGS = 4.5V
- 13mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：30A
- **技术**：沟槽工艺
### 应用领域和模块
AON7506-VB 的优异性能使其广泛适用于多种领域和模块：
1. **电源管理**：由于其低导通电阻和高电流处理能力，AON7506-VB 非常适合用于直流-直流转换器和负载开关。这些特性使其能够高效地管理和调节电源，减少能量损耗并提高系统的整体效率。
2. **电机驱动**：该 MOSFET 能够处理高达 30A 的电流，非常适用于需要高功率的电机驱动应用，如电动工具、电动车和机器人。其高效导通特性确保电机在运行期间的能量损耗最小化，从而延长电池寿命和提高性能。
3. **计算和通信设备**：AON7506-VB 在高密度电路设计中的紧凑封装和出色的热性能使其成为服务器、路由器和基站等计算和通信设备的理想选择。这些设备要求稳定、高效的电源管理，而 AON7506-VB 能够满足这些需求。
4. **消费电子**：在智能手机、平板电脑和笔记本电脑等便携式电子设备中，该 MOSFET 提供的高效电源管理和紧凑封装非常重要。它能够帮助这些设备实现更长的电池寿命和更小的设计尺寸。
AON7506-VB 作为一款高性能、低导通电阻的 N 沟道 MOSFET，其广泛的应用范围和卓越的性能使其成为各种电力电子设计中的理想选择。
