AUIRL1404ZSTRR-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-04
## 产品简介
AUIRL1404ZSTRR-VB 是一款高效能单N沟道MOSFET，采用TO-263封装。其基于先进的沟槽（Trench）技术，具有超低的导通电阻和高电流承载能力，使其在高性能应用中表现出色。该器件能够在最大40V的漏源极电压和150A的漏极电流条件下稳定运行，广泛适用于高功率密度和高效率的应用场景。其优异的电气性能确保了在复杂电力系统中能够提供卓越的转换效率和可靠性。
## 详细参数说明
- **型号**: AUIRL1404ZSTRR-VB
- **封装**: TO-263
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 40V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2.5mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 150A
- **技术**: 沟槽 (Trench)
## 应用领域和模块举例
AUIRL1404ZSTRR-VB MOSFET 在多个领域和模块中展现了其广泛的应用潜力：
1. **电源管理**: 在高功率电源管理系统中，例如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器，AUIRL1404ZSTRR-VB 的超低导通电阻和高电流能力使其成为理想选择。这些特性帮助提高电源效率，减少能量损耗，并确保高功率应用中的稳定性和可靠性。
2. **电动汽车**: 该器件在电动汽车的电池管理系统和电机驱动模块中表现出色。其高电流承载能力和低导通电阻使其能够高效地处理电动汽车中的高功率需求，同时提高整体系统的能效和可靠性。
3. **工业应用**: 在工业控制系统中，AUIRL1404ZSTRR-VB 主要用于驱动电机和控制高功率负载。其强大的电流处理能力和低导通电阻使其能够在苛刻的工业环境下保持稳定性能，确保设备的高效运行。
4. **消费电子**: 该MOSFET 还可用于高功率消费电子产品中，如高性能LED驱动器和音频放大器。其优异的性能确保了在高功率应用中设备能够维持高效和稳定的运行。
这些应用实例展示了AUIRL1404ZSTRR-VB MOSFET 在高功率和高效率应用中的重要作用，使其成为众多应用中的可靠选择。
