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SI4401DDY-T1-GE3-VB一款P沟道SOP8封装MOSFET应用分析
2024-01-09
型号：SI4401DDY-T1-GE3
丝印：VBA2412
品牌：VBsemi
详细参数说明：
- 类型：P沟道MOSFET
- 最大耐压：-40V
- 最大电流：-11A
- 导通电阻：13mΩ@10V, 17mΩ@4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 门阈电压：-1.7Vth
- 封装：SOP8
应用简介：
SI4401DDY-T1-GE3 是一款 P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的中功率应用。其最大耐压为-40V，最大电流为-11A，具有低导通电阻和高性能。
该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。
2. 电动工具：可用于电动工具中的负载开关和电源控制。
3. 汽车电子模块：适用于汽车电子系统中的负载开关和电源控制。
总之，SI4401DDY-T1-GE3 适用于负极电压控制和负载开关的中功率应用领域的模块设计，主要用于电源管理、电动工具和汽车电子模块等。
