公司动态详情返回动态列表>
BSZ035N03LS G-VB一种Single-N沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2025-01-10
### 产品简介
**BSZ035N03LS G-VB** 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，封装形式为DFN8(3x3)。该MOSFET设计用于低电压、高电流应用，具有30V的漏源电压（VDS）和最大20V的栅源电压（VGS）。它具有极低的导通电阻和较高的漏极电流能力，非常适合用于高效率的电源管理和开关应用。
### 参数说明
- **型号**: BSZ035N03LS G-VB
- **封装**: DFN8(3x3)
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 30V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3.9mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流（ID）**: 60A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
**BSZ035N03LS G-VB** 主要适用于以下领域和模块：
1. **电源管理**: 在高电流电源管理系统中使用，如电源转换器和DC-DC转换器，提供高效的功率转换和低功率损耗。
2. **开关电路**: 在高电流开关电路中，如负载开关和电源开关，提供稳定的开关性能和低导通电阻，确保高效能。
3. **电动驱动**: 用于电动汽车或其他电动驱动系统中，处理高电流负载，优化系统性能和效率。
4. **工业自动化**: 适用于工业自动化设备中需要高电流和低功耗的场景，提升设备的可靠性和性能。
该MOSFET的低导通电阻和高电流处理能力使其在各种高效率电源管理和开关应用中表现优异。
