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BRI2N60-VB一种Single-N沟道TO251封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
BRI2N60-VB 是一款采用 TO251 封装的单通道 N 沟道 MOSFET，适用于高电压应用。其具有 650V 的漏极-源极耐压、30V 的栅极-源极耐压、以及 3.5V 的栅极阈值电压。该 MOSFET 在 10V 的栅极驱动电压下，具有 4300mΩ 的导通电阻和最大 2A 的漏极电流。
### 参数说明
- **型号**: BRI2N60-VB
- **封装**: TO251
- **配置**: 单通道 N 沟道 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 4300mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: 平面技术
### 应用领域
BRI2N60-VB 适用于以下领域和模块：
- **电源管理**: 用于高压开关电源中的开关控制，确保高效率和稳定性。
- **逆变器**: 在光伏逆变器和风能逆变器中作为功率开关，承受高电压和电流。
- **电动汽车**: 在电动汽车的电池管理系统和电机控制中，作为功率开关元件。
- **家用电器**: 适用于高压家用电器中的开关电路，如微波炉和电热水器。
