AM7302N-T1-PF-VB一种Single-N沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2024-11-29
### 产品简介
AM7302N-T1-PF-VB是一款单N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术，封装形式为DFN8(3X3)。其设计特点在于低导通电阻和高电流承载能力，使其在各种电源管理和开关应用中表现出色。该产品具有较高的耐压特性和良好的热性能，非常适合在空间受限的现代电子设备中使用。
### 详细参数说明
- **型号**: AM7302N-T1-PF-VB
- **封装**: DFN8(3X3)
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 40A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
AM7302N-T1-PF-VB在许多领域和模块中有广泛的应用：
1. **电源管理模块**: 该MOSFET在电源管理模块中能够高效地控制电源开关，降低损耗，提高系统的能源效率。例如，在DC-DC转换器中，它可以用作主开关器件，确保转换器的高效运行。
2. **电机驱动器**: 在电机驱动器中，AM7302N-T1-PF-VB可以用来控制电机的启停和速度调节。其高电流承载能力和低导通电阻使其在需要快速切换和高功率传输的应用中表现优异。
3. **电池保护电路**: 在锂电池保护电路中，该MOSFET可以用来防止过充电和过放电，保障电池的安全性和寿命。其耐压特性和可靠性确保了电池在各种条件下的稳定运行。
4. **消费电子设备**: AM7302N-T1-PF-VB适用于智能手机、平板电脑等消费电子设备中的电源管理和充电模块。其紧凑的封装和优异的性能满足了现代电子设备对高性能和小型化的要求。
通过这些应用实例可以看出，AM7302N-T1-PF-VB因其卓越的电气性能和高效的热管理能力，广泛应用于各种高要求的电子设备和电源管理系统中。
