APA2N70K-HF-VB一种Single-N沟道SOT223封装MOS管
2024-12-25
### 1. 产品简介详述：
APA2N70K-HF-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，采用平面技术（Plannar）制造。该器件设计用于高压应用，具有高击穿电压和较低的漏极-源极导通电阻，适合于需要高电压承受能力和低功率消耗的电路设计。封装形式为 SOT223，适用于各种工业和消费电子设备中。
### 2. 详细参数说明：
- **器件型号：** APA2N70K-HF-VB
- **包装类型：** SOT223
- **通道类型：** 单 N 沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 650V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±30V
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 10000mΩ @ VGS = 4.5V
- 8000mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 1A
- **技术特性：** 平面技术（Plannar）
### 3. 应用示例：
这款 MOSFET 适用于以下领域和模块：
- **电源转换器：** APA2N70K-HF-VB 可以用作开关电源和电源转换器中的主要开关管，用于提供高电压的直流-直流转换，如电源适配器、电动工具的电源模块等。
- **照明应用：** 在需要高电压和低功耗的 LED 驱动电路中，该器件可以作为电源管理和开关控制器，确保 LED 灯具的高效能耗和长寿命。
- **工业控制系统：** 适用于工业自动化和控制系统中的电机控制、传感器接口和高压电路保护，支持设备的高效运行和稳定性。
- **电动汽车充电桩：** 在电动车充电桩的高压直流侧电路中，APA2N70K-HF-VB 可以用于开关控制和电池管理，确保充电系统的高效能和安全性。
以上示例展示了 APA2N70K-HF-VB 在多个高压、低功耗要求的电路设计中的广泛应用，利用其平面技术优势，确保电路的高效能耗和稳定性。
