BSZ110N06NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2025-01-10
### 一、BSZ110N06NS3 G-VB 产品简介
BSZ110N06NS3 G-VB 是一款高效能的单N沟道MOSFET，采用DFN8(3X3)封装。这款产品具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于多种功率管理和开关应用。其先进的Trench技术使其在性能和效率上都表现出色，能够在高负载条件下提供稳定的工作性能。
### 二、BSZ110N06NS3 G-VB 详细参数说明
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 封装 | DFN8(3X3) |
| 配置 | 单N沟道 |
| VDS（漏源极电压） | 60V |
| VGS（栅源极电压） | 20（±V） |
| Vth（阈值电压） | 2.5V |
| RDS(ON) @ VGS=4.5V | 13mΩ |
| RDS(ON) @ VGS=10V | 10mΩ |
| ID（漏极电流） | 15A |
| 技术 | Trench |
### 三、应用领域和模块示例
1. **电源管理模块**：
BSZ110N06NS3 G-VB 在电源管理中表现出色，特别适用于DC-DC转换器和电源分配单元。这些应用需要高效的开关特性和低导通电阻以确保功率损耗最小化，提高系统的整体效率。
2. **电动汽车和混合动力系统**：
在电动汽车和混合动力车辆的电池管理系统中，该MOSFET可以用于驱动和控制高电流负载，确保稳定的电池充放电管理和电动机控制。
3. **工业自动化**：
工业自动化系统中的电机驱动和控制模块需要可靠且高效的MOSFET来处理高电流和高电压。BSZ110N06NS3 G-VB 能够提供高效的功率转换和精确的控制。
4. **消费电子产品**：
在消费电子产品如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的充电和电池保护电路中，这款MOSFET可以提供低功耗和高效率的电源管理解决方案，延长设备的电池寿命。
5. **通信设备**：
通信设备中的射频功率放大器和开关电源需要高效能和低导通电阻的MOSFET，以确保信号的稳定传输和设备的可靠运行。BSZ110N06NS3 G-VB 正是这种应用的理想选择。
通过其多样的应用领域和出色的性能参数，BSZ110N06NS3 G-VB 能够在各种电力和电子设备中发挥关键作用，提升整体系统的效率和可靠性。
