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BSS192-VB一种Single-P沟道SOT89封装MOS管
2025-01-09
### 产品简介
BSS192-VB 是一款高电压单通道 P 沟道 MOSFET，封装为 SOT89，专为高电压开关和负载控制应用设计。它具有 -200V 的漏极-源极耐压、±20V 的栅极-源极耐压和 -3V 的栅极阈值电压。该 MOSFET 在 4.5V 的栅极驱动电压下，导通电阻为 900mΩ，在 10V 的栅极驱动电压下为 800mΩ。最大漏极电流为 -1.8A，采用 Trench 技术，确保在高电压下提供稳定的开关性能和较低的导通电阻。
### 参数说明
- **型号**: BSS192-VB
- **封装**: SOT89
- **配置**: 单通道 P 沟道 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: -200V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 900mΩ @ VGS = 4.5V
- 800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -1.8A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域
BSS192-VB 适用于以下领域和模块：
- **高电压开关**: 在高电压电源管理系统中作为开关元件，控制高电压电路中的负载和电源。
- **电源保护**: 用于高电压电源的保护开关，防止电流过大导致的损坏，确保设备安全。
- **工业控制**: 在高电压工业应用中提供可靠的开关功能，控制大功率负载。
- **消费电子**: 适用于高电压电源适配器和特定电子设备中，如高电压应用的电视和音响系统。
