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BSC048N025S G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC048N025S G-VB** 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造。它封装在DFN8 (5x6)中，设计用于需要高电流和高开关频率的应用。该MOSFET具有30V的漏源电压（VDS）和最大20V的栅源电压（VGS），在各种苛刻环境中提供低导通电阻和优异的开关性能，适合用于高效能电源管理和开关应用。
### 参数说明
- **型号**: BSC048N025S G-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 30V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流（ID）**: 160A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
**BSC048N025S G-VB** 主要适用于以下领域和模块：
1. **高效电源管理**: 在30V电源转换器中使用，有助于减少功率损耗，提升系统的能效和可靠性，适合DC-DC转换器和高效电源模块。
2. **开关电路**: 用于高开关频率的开关电路，如逆变器和电源开关模块，提供低导通电阻和稳定的开关性能。
3. **电动驱动**: 在电动汽车和高电流驱动系统中应用，能够处理高电流，确保系统的稳定性和高效能。
4. **工业控制**: 用于工业自动化设备中，能够处理高电流负载，提升系统的整体性能和可靠性。
该MOSFET的高电流和低导通电阻特性使其在多个高效能应用场景中表现优异。
